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Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究
高铭台
1987, 9(5): 420-427.  刊出日期:1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
一种用(Pb1/2Ni1/2)MnO3改性的PbTiO3压电陶瓷
孙宣仁, 张福宝, 邓其光
1986, 8(1): 76-80.  刊出日期:1986-01-19
正 1.引言 由于PbTiO3压电陶瓷较难合成,因而使它的推广应用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介电常数小(200左右),居里温度高(490℃),故在高频器件、红外器件等方面有应用前途。目前应用较广的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的转变温度就是利用PbTiO3的高温特性来提高的。 本文介绍的是利用PbTiO3的介电常数小、Kt大和频率稳定度高的特点,把它用作滤
基于承诺的可验证公平性微支付
刘忆宁, 赵全玉
2017, 39(3): 743-748. doi: 10.11999/JEIT160300  刊出日期:2017-03-19
关键词: 微支付, 承诺, 公平性, 可验证性
微支付交易具有交易量极大且单次交易额极小的特点,使得复杂的认证协议不适用于微支付。Micali等人(2002)提出的基于概率选择微支付方案,把微支付聚合成宏支付,大幅提高了微支付的效率。Liu-Yan在(2013)提出了保证所有参与者的数据融入概率选择结果的生成, 而且使得所有参与者可以验证结果的公平性。然而,Liu-Yan方案中银行可能获得额外利益,从而破坏了协议的公平性。该文首先分析了Liu-Yan方案的安全威胁,并且以1个用户-1个商家的模型代替Liu-Yan方案中大量用户-1个商家的模型,以数据承诺技术为基础保障结果的公平性与可验证性。
镍硅化物生成的TEM原位研究
高铭台
1988, 10(4): 360-366.  刊出日期:1988-07-19
关键词: 半导体材料; 镍硅化物; TEM; 原位研究
蒸涂法获得的Si-Ni界面在室温到800℃下热处理,并用透射式电子显微镜对它进行原位研究。在化学清洗的洁净的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。实验表明,在真空度为110-6mmHg,温度为650℃时,化学清洗的Si表面上生成了SiC;各种镍硅化物的出现不是在某一确定温度;在Si(111)面上外延生长镍硅化物比在(100)面上容易。
一种高精度的稳定的色散边界条件
周健义, 杨铨让
1997, 19(1): 137-140.  刊出日期:1997-01-19
关键词: 吸收边界条件; 色散边界条件; 时域有限差分法
本文给出了一种高精度的稳定的色散边界条件(DBC),可应用于传输线的时域有限差分法(FDTD)的分析之中。我们用一个新的二阶差分式代替了边界条件中的微分算子。与P。Y。Zhao等人(1994)提出的色散边界条件相比,本文中的边界条件具有相同的绝对稳定特性,但具有更好的吸收性能。
非晶硅肖特基太阳电池的I-V特性分析
徐乐
1985, 7(6): 458-465.  刊出日期:1985-11-19
本文提出了一种在光照和短路条件下测量Ni/-Si∶H肖特基结势垒宽度的方法。同时,又在实验确定的参数的基础上,从理论上计算了在AM1太阳光谱照射下Ni/-Si∶H太阳电池的I-V曲线。由此得到的非晶硅少子扩散长度的数值与作者1983年用表面光电压法(SPV)测得的是一致的。从计算结果出发,着重分析了影响填充因子的各种因素。与实验对比可以得出结论:被测太阳电池的填充因子小是串、并联电阻造成的,而不是扩散长度太短的缘故。
镍-钨-钙基底金属氧化物阴极在显象管中的应用
王书绅, 刘德荣, 吴珊英
1980, 2(1): 38-41.  刊出日期:1980-01-19
一、前言 随着我国电视工业的迅速发展,对电视机所用显像管的寿命指标提出了愈来愈高的要求。国产23X5B(9英寸)显像管的寿命原部颁标准为750小时,目前多数管的实际寿命一般不超过2000小时,远不能满足要求。 本实验的目的是试备用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作阴极基底金属,以提高9英寸显像管的寿命。实验表明,在不改变原制管工艺的情况下,更换阴极基底金属后,9英寸管的寿命可以提高到700012000小时,甚至更高
一种直热式氧化物阴极的基金属镍钴钨合金
朱连宝
1981, 3(2): 125-127.  刊出日期:1981-04-19
正 一、引言 长期以来,氧化物阴极基金属一般都采用镍镁、镍硅等镍合金。但用它们作直热式阴极时,在强度和热变形等方面都不能很好满足要求,如用在直热式发射管FD-422中,就常出现阴极断裂、高压跳火,掉粉等问题。为了解决这一问题,我们研制出一种Ni-Co-W合金。用杯卣热式发射管FD-422中,得到较好效果
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究
邢英杰, 奚中和, 俞大鹏, 杭青岭, 严涵斐, 冯孙齐, 薛增泉
2003, 25(2): 259-262.  刊出日期:2003-02-19
关键词: 硅纳米线; SLS生长机制; 升温特性
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法。与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源.是一种全新的固液固(SLS)生长机制。实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2.5104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非晶态,直径为10-40 nm,长度可达数十微米,升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用。研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响。